Южнокорейская компания Hynix Semiconductor официально объявила о разработке динамической памяти DRAM стандарта DDR4 на 2 Гбит, а также модуля ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module), в основе которого лежит указанная память. Отметим, что при создании новой памяти применялся техпроцесс 30 нм класса, а сам модуль DDR4 DRAM соответствует стандарту JEDEC.
Новый модуль памяти ECC-SODIMM функционирует на частоте 2400 МГц и обладает емкостью в 2 ГБ, а его рабочее напряжение питания составляет всего 1,2 вольта. При этом продукт от Hynix обладает пропускной способностью до 19,2 ГБ/с при работе с 64-битным интерфейсом и предназначен для использования в сегменте микро-серверов.
Добавим, что Hynix собирается начать массовое производство DDR4 DRAM во второй половине будущего года, а сама оперативная память такого типа представляет собой очень перспективное решение, отличающееся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками (от 2133 до 4266 МГц) и низким напряжением. Не случайно активный интерес к DDR4 проявляет такой гигант IT индустрии, как Samsung, представивший в рамках CES 2011 модули памяти DDR4 2133.
|
555162696 - техподдержка
